led外延片报价-led外延片-杰生半导体公司

led 外延片工艺流程如下：

衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- n型gan 层生长- 多量i子阱发光层生- p 型gan 层生长- 退火- 检测（光荧光、x 射线） - 外延片；

外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- n 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级

具体介绍如下：

固定：将单晶硅棒固定在加工台上。

切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。

倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，led外延片，产生废水和硅渣。

分档检测：为---硅片的规格和，led外延片价格，对其进行检测。此处会产生废品。

研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效---单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。

清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。

rca清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。

led芯片的分类有哪些呢？

mb芯片定义与特点

定义：metal bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于uec的专i利产品。

特点：

(1)采用高散热系数的材料---si作为衬底，散热容易。thermal conductivity;gaas：46w/m-k;gap：77w/m-k;si：125～150w/m-k;cupper:300~400w/m-k;sic：490w/m-k。

(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

(3)导电的si衬底取代gaas衬底，led外延片多少钱，具备---的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。

(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。

(5)尺寸可加大，应用于high power领域，eg:42mil mb。