led 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- n型gan 层生长- 多量i子阱发光层生- p 型gan 层生长- 退火- 检测（光荧光、x 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- n 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - p 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，led芯片价格，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为---硅片的规格和，led芯片批发，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效---单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
rca清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
led芯片的分类有哪些呢？
ts芯片定义和特点
定义：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于hp的专i利产品。
特点：
(1)芯片工艺制作复杂，远高于as led。
(2)---性卓i越。
(3)透明的gap衬底，不吸收光，亮度高。
(4)应用广泛。
as芯片定义与特点
定义：absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力，台湾led光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。
---芯片制造业起步较晚，其亮度及---度---业界还有一定的差距，在这里我们所谈的as芯片，特指uec的as芯片，eg：712sol-vr， 709sol-vr， 712sym-vr，广东led芯片，709sym-vr等。
特点：
(1)四元芯片，采用movpe工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
(2)---性优良。
(3)应用广泛。
一般来说，led芯片报价，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，led芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的---。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触---，欧姆接触---是芯片制造中造成正向压降vf偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对---芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在led芯片的pn结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
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