




led芯片大小根据功率可分为小功率芯片、---率芯片和大功率芯片。根据客户要求可分为单管级、数码级、点阵级以及装饰照明等类别。
至于芯片的具体尺寸大小是根据不同芯片生产厂家的实际生产水平而定,没有具体的要求。
只要工艺过关,芯片小可提高单位产出并降低成本,光电性能并不会发生---变化。
芯片的使用电流实际上与流过芯片的电流密度有关,芯片小使用电流小,芯片大使用电流大,它们的单位电流密度基本差不多。
考虑到散热是大电流下的主要问题,所以它的发光效率比小电流低。另一方面,uv led模组批发,由于面积增大,芯片的体电阻会降低,uv led模组报价,所以正向导通电压会有所下降。
分子束外延法属于物理气相沉积pvd里的真空蒸发法的一种,广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer,前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积,也就是真空镀膜,分子束外延就是薄膜沉积的一种方法,在裸硅片(或者其他衬底)上利用分子束外延法镀上多层薄膜,led模组,形成该芯片所需要的结构,用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片,外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节,再经过打线、bonder、fcb、bga植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。
led芯片组成及发光
led晶片的组成:主要有申(as)铝(al)家(ga)铟(in)磷(p)氮(n)---(si)这几种元素中的若干种组成。
led晶片的分类:
1、按发光亮度分:
a、一般亮度:r、h、g、y、e等
b、高亮度:vg、vy、sr等
c、亮度:ug、uy、ur、uys、urf、ue等
d、不可见光(红外线):r、sir、vir、hir
e、红外线接收管:pt
f、光电管:pd
2、按组成元素分:
a、二元晶片(磷、家):h、g等
b、三元晶片(磷、家、申):sr、hr、ur等
c、四元晶片(磷、铝、家、铟):srf、hrf、urf、vy、hy、uy、uys、ue、he、ug
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