外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、sic、si)上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
mocvd介绍：
金属有机物化学气相淀积(metal-organic chemical vapor depoisition，简称 mocvd)， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖i端光电子设备，主要用于gan(氮化家)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业蕞有发展前途的设备之一。
说到led芯片行业的发展历史，离不开几个重要的时间节点。2003年6月，苏州led芯片，科技部首i次提出要发展半导体照明；2006年“十一五”将半导体照明工程作为的一个重大工程进行推动；2009年开始，led芯片价格，各地对于led芯片制造厂商采购mocvd予以补贴，国内led芯片厂商收入与净利润增加，led芯片多少钱，同时竞争者数量不断---，行业竞争加剧。
2011年---正式发布淘汰白炽灯的公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年这几年是淘汰白炽灯的过渡期，同时也是led照明行业的快速发展期。进入 2016 年以后，各大led芯片厂扩产带来的产能释放，行业洗牌前夕来临。由于产能过剩，led芯片引起激烈的价格竞争，导致不少芯片厂商营收和净利润双双下降，众多中小厂商被i迫退出市场。
国外厂商也开始调整策略，对国际大厂来说，他们在技术成熟的led通用市场已失去明显的竞争优势，切断led“残腕”或是明智之举，为避免激烈竞争造成的损失扩大。
led芯片的分类有哪些呢？
mb芯片定义与特点
定义：metal bonding(金属粘着)芯片;该芯片属于uec的专i利产品。
特点：
(1)采用高散热系数的材料---si作为衬底，散热容易。thermal conductivity;gaas：46w/m-k;gap：77w/m-k;si：125～150w/m-k;cupper:300~400w/m-k;sic：490w/m-k。
(2)通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。
(3)导电的si衬底取代gaas衬底，具备---的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。
(4)底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
(5)尺寸可加大，应用于high power领域，eg:42mil mb。
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