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虽然深紫外led灯珠在太阳光中能量占比仅5%，uvb灯珠价格，但在人类生活中应用广泛。目前，紫外光广泛应用于水净化、光固化和杀菌消毒等领域。传统的紫外光源一般是采用銾蒸气放电的激发态来产生紫外线，有着---量大、功耗高、反应慢、寿命短和安全---等诸多缺陷。而新型的深紫外光源则采用发光二极管（led）发光原理，相对于传统的銾灯拥有诸多的优点。其中，重要的优势在于其不含有毒銾元素。预示2020年将全方面禁止含有銾元素紫外灯的使用。因此，开发出一种全新的、高能紫外光源，成为了摆在人们面前的一项重要挑战。

由此，基于宽禁带半导体材料（氮化家、氮化家铝）的深紫外发光二极管（uv led）成为这一新应用的。这一全固态光源体系校率高、体积小、---，而且不过是拇指盖大小的芯片，就能发出比銾灯还要强的紫外光。这里面的奥秘主要取决于iii族氮化物这种直接带隙半导体材料：导带上的电子与价带上的空穴复合时，产生光子。光子的能量则取决于材料的禁带宽度，所以科学家们可以通过调节氮化家铝（algan）这种三元化合物中的元素组分来实现不同波长的发光。但是，要想实现uv led的发光并不总是那么简单的事情。科学家们发现当电子和空穴复合时，uvb灯珠定制，并不总是一定产生光子，这一校率被称之为内量i子校率(iqe)。

1、深紫外led灯珠发光机理：pn结的端电压构成一定势垒，当加正向偏置电压时势垒降低，p区和n区的大都载流子向对方分散。因为电子迁移率比空穴迁移率大得多，所以会呈现大量电子向p区分散，构成对p区少量载流子的写入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的方法开释出去。这即是pn结发光的原理。

2、深紫外led灯珠发光功率：通常称为组件的外部量i子功率，其为组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积。所谓组件的内部量i子功率，本来即是组件自身的电光转换功率，首要与组件自身的特性（如组件资料的能带、缺点、杂质）、组件的垒晶构成及构造等相关。而组件的取出功率则指的是组件内部产生的光子，在通过组件自身的吸收、折射、反射后，亳州uvb灯珠，实践在组件外部可测量到的光子数目。因而，对于取出功率的因素包含了组件资料自身的吸收、组件的几许构造、组件及封装资料的折射率差及组件构造的散射特性等。而组件的内部量i子功率与组件的取出功率的乘积，即是整个组件的发光作用，也即是组件的外部量i子功率。早期组件开展会集在进步其内部量i子功率，首要办法是通过进步垒晶的及改动垒晶的构造，使电能不易转换成热能，进而直接进步深紫外led灯珠的发光功率，然后可获得70%摆布的理论内部量i子功率，可是这么的内部量i子功率几乎现已挨近理论上的---。