




从高---上来说:主要包括失效率、寿命等指标上。但在应用中却存在不同的理解和阐述。高---性指的是产品在规定条件下和规定时间内,完成规定功能的能力。led失效类别主要有---失效和参数失效。而寿命是产品---性的表征值。:一般指统计平均值,对大量元器件而言,led器件的寿命就是采用这种描述的含义。但影响led显示屏产品---性的因素有芯片制造、封装、热阻、散热等。既然说到这个,led芯片,希望企业对led显示屏产品在执行控制的基础上,作2点要求:
1.减少失效率。
2.延长耗损失效时间。
后是在降低产品成本上:目前很多消费者在购买led显示屏时候都觉得价格太高,因此争对这个很多led显示屏厂家也都采取了相应的措施,要降低成本除了大批量生产外,led芯片批发,主要从技术上采取措施来降低成本的方法、途径。主要是在外延芯片、封装、驱动、散热等方面降低成本,从而从---上解决led显示屏产品的成本问题。具体从以下四个方面谈及:
1.外延芯片环节降低成本的方法。
2.封装环节降低成本的方法。
3.灯具环节降低成本的方法。
4.其他配套成本的降低。
在led芯片制作过程中,把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片,分捡出来,这些就是后面的散晶,此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片,也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试,对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理,这些晶圆片是不能直接用来做led方片,也就不做任何分检了,直接卖给客户了,也就是目前市场上的led大圆片(但是大圆片里也有好东西,如方片)。
led制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(gan)基的外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作gan基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,led芯片厂家,还有gaas、aln、zno等材料。
mocvd是利用气相反应物(前驱物)及ⅲ族的有机金属和ⅴ族的nh3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、晶相等品质。
mocvd外延炉是制作led外延片蕞常用的设备。
电子芯片和led芯片有什么主要区别?
1,芯片的裸die尺寸相差不是太大,如cm/mm/0.1mm这个量级,但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路(常说的7nm/10nm工艺),ic设计和制造一样为非常复杂高难度的工程,由此衍生既像intel、三星这样设计制造一体的公司,也有高通、苹果这样的fabless公司及台积电这样的代工厂;而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极,里面的制程可能100um/10um级就够了,制造工艺流程也简单很多,led芯片多少钱,从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的led ic设计公司。
2,芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求---,前者可能影响性能,缺陷多了,载流子移动速度上不来,如同一批货,有的能跑2.8ghz频率,有的只能跑2g以下;led芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级(印象中数据),否则---影响发光效率,也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。led技术和产品已有几十年历史,但---使用(如液晶屏幕背光)是这二十年来的事情,材料不行导致发光效率低是首要原因。
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